韩媒：三星采用台积电3nm工艺为英伟达NVHBM制造基座晶粒

2026-10-19

三星拟采用台积电3nm工艺为英伟达生产下一代HBM芯片

2026-10-19

台积电2nm/3nm先进制程大扩产，涨幅高达22%

2026-09-14

台积电3nm冲锋 产值跃升 Q3突破4000亿元新台币创新高

2026-09-07

Arm成立36年来首颗自研芯片：台积电3nm工艺，1000亿个晶体管

2026-08-25

台积电3nm出货加速 Q4月冲18万片 2nm拼10万片

2026-08-07

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2026-05-11

台积电推1.3nm制程 预计2029年量产

2026-04-24